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> 如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属...

如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属...

问题详情:

如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属...

如图1所示,虚线MNMN′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,*、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定*画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中SSS3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及SSS3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是

   A.图2正确,且S1>S2                       B.图2正确,且S1=S2

   C.图3正确,且S3>S4                       D.图3正确,且S3=S4

【回答】

D

知识点:专题八 电磁感应

题型:选择题

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