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晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯...

问题详情:

晶体硅(熔点1 410 ℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:

Si(粗)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯...SiCl4晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯... 第2张SiCl4(纯)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯... 第3张Si(纯)

写出SiCl4的电子式:______________;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量,写出该反应的热化学方程式:___________________________。

【回答】

* 晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯... 第4张

SiCl4(g)+2H2(g)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯... 第5张Si(s)+4HCl(g)

ΔH=+0.025a kJ·mol-1

知识点:硅和硅*盐工业单元测试

题型:填空题

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