势垒造句怎么写

采用梯形势垒模型计算伏安特*，并与实验伏安特*拟合，得到了结的有效势垒参数www

计算了退火前后该器件的理想因子势垒高度

计算结果表明，对于两对称方势垒夹一个任意形状势阱的位势，也可能存在谐振隧穿现象。

金属中的电子必须克服这个势垒层才能进入半导体。

本文提出一种能在毫米波很好工作的三端半导体器件—异质结势垒控制飞的电子晶体管（简称势垒飞越晶体管）。

基于相位时间和隧穿时间的定义计算了电子穿过方形势垒的相互作用时间，在此基础上设计一个实验尝试研究电子隧穿方形势垒的相互作用时间。

本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象，用梯形势垒计算了电流-电压特*。

此法比k - P方法简便易行，而且随着势垒宽度的增加，两种方法所得结果趋于一致。

将这种方法应用到具体的非晶相绝缘体中，以材料的实际结构来构造双势垒模型，得到的结果与实验相吻合。

约瑟夫逊结是由两块超导体间夹一层很薄的势垒区构成的，但是仍能发现由电流以某一特殊方式穿过。

在正统理论的基础上 ，提出了单电子三势垒隧穿结模型的主方程 ，并用线*方程组解法求出了其稳态解 。

利用该结果分别研究了抛物线型单势垒情况、方型双势垒情况、抛物线型双势垒情况以及置于外场中的双势垒情况。

其中顺式反应途径的势垒较低。

当势垒厚度势垒高度子阱厚度间隔层厚度掺杂浓度改变时，可以观察到DBRTD直流特*也随之改变

这个几率与势垒区内的量子波振幅有关。

在近表面单晶层上作成了*能良好的肖特基接触，其势垒高度约为。

在该模型的基础上，讨论了势垒、阳极结的电势降落和电流的放大因子等电参数的变化。

表面安装肖特基势垒二极管。最大峰值反向电压常五，最大平均正向电流。

介绍了TAB工艺，包括历史演变，基本的引线键合结构，载带及其制作，缓冲触突与势垒金属层的制作以及内引线和外引线键合。

速率依赖于，翻越势垒。

但是由于较高的库仑势垒和离心势垒，丰质子轻核比较难以形成质子晕结构。

结果表明：沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子；

用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒。

把薛定谔方程的散*态和驻波态联系起来，发展了一种用来求解一些偶对称势垒透*系数的数值方法

最后，本文采用叠加势垒模型对晶界电子势垒的特*进行了很好的描述。

“这两种振幅由势垒分开，”莫汉蒂说。通过使用一双与共振硅条相应的电脉冲以触发电势，这一组合便可以在两种振幅之间转换。

研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管

不同的温度势垒高度和潜能