电介质击穿造句怎么写
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提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。
因此击穿电压的检测必须重视电介质击穿现象的电参数值的测量。
通过固体电介质击穿理论的分析,提出由局部*缺陷发展逐渐导致介质击穿需要较长的发展时间。
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提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。
因此击穿电压的检测必须重视电介质击穿现象的电参数值的测量。
通过固体电介质击穿理论的分析,提出由局部*缺陷发展逐渐导致介质击穿需要较长的发展时间。