隧穿电流造句怎么写

用数值分析的方法讨论了中*陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET）隧穿电流的影响。

外界条件可引起超晶格中内建电场的变化，进而引起隧穿电流的变化。

同时还探求了垂直磁场对共振隧穿电流峰抑制作用的物理机制。

理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发*率和光学声子辅助隧穿电流。