熱載流子造句怎麼寫

本文針對目前研究較多的自加熱退化和熱載流子退化機制做了更深入的探討，比較了兩者的差別，並介紹了它們在反轉模式下出現的退化恢復現象。

研究了MOS器件中的熱載流子效應，在分析了靜態應力下MOSFET壽命模型的基礎上，提出了動態應力條件下MOSFET的壽命模型。

實驗結果表明：前溝道的熱載流子應力在前柵界面不僅誘生相當數量的界面陷阱，同樣產生出很大的界面電荷。

對深亞微米器件中熱載流子效應(hce)進行了研究。

熱載流子通過發*和吸收聲子,與晶格進行能量交換.

當施加反向偏置電壓時，形成的耗盡層厚度變大，從而使熱載流子的產生減到最小。

基於流體動力學能量輸運理論，對槽柵PMOSFET器件的端口特*進行了*研究，包括柵極特*、漏極驅動能力和抗熱載流子*能等。

在熱載流子應力條件下，器件的退化主要是由於在漏極附近由熱載流子產生的損傷缺陷引起的。

此外，文中還介紹了交流應力下的熱載流子退化現象，以及在一些特殊器件結構中的退化現象.

隨着MOS器件尺寸逐漸減小，由熱載流子效應導致的損傷變得越來越嚴重，已成為影響器件*能的主要失效機制之一。

本文簡略地介紹處理半導體中熱載流子輸運的一個解析方法——平衡方程方法。

熱載流子通過發*和吸收聲子，與晶格進行能量交換。