隧穿電流造句怎麼寫
- 造句
- 關注:8.18K次
用數值分析的方法討論了中*陷阱對超薄場效應晶體管(MOSFET)隧穿電流的影響。
外界條件可引起超晶格中內建電場的變化,進而引起隧穿電流的變化。
同時還探求了垂直磁場對共振隧穿電流峯抑制作用的物理機制。
理論研究了非對稱雙勢壘結構中光學聲子發*率和光學聲子輔助隧穿電流。
- 文章版權屬於文章作者所有,轉載請註明 https://zhongwengu.com/zh-hk/sentence/pg31zk.html
用數值分析的方法討論了中*陷阱對超薄場效應晶體管(MOSFET)隧穿電流的影響。
外界條件可引起超晶格中內建電場的變化,進而引起隧穿電流的變化。
同時還探求了垂直磁場對共振隧穿電流峯抑制作用的物理機制。
理論研究了非對稱雙勢壘結構中光學聲子發*率和光學聲子輔助隧穿電流。