電流比造句怎麼寫

奈米晶矽薄膜電晶體，不但保有目前非晶矽薄膜技術的優點可以在低温(250℃下大面積及高速率成長，最重要的是其具有較高載子場效遷移率以提升驅動電流及增加開關電流比。

納管能傳送的電流比擊穿普通電子互連器的電流大100倍。

極化曲線外推法和電化學阻抗研究都表明納米晶銅的腐蝕電流比微米晶銅高，而極化電阻要低。

研究中發現腐蝕電流與氧化膜中存在的缺陷數量成正比，因此，氧化膜的孔隙率可以用有膜和無膜金屬腐蝕電流比值表達。

由於等離子體中心區域自舉電流比較小，為了滿足等離子體平衡要求，非感應電流驅動是必不可少的。

本文敍述了一種感應分流器和電流比較儀的絕對校驗方法。

儀器使電流比較儀處於零磁通工作狀態，再利用互感器校驗儀的測差原理測試被檢電流互感器的誤差，從而使互感器校驗儀具有比較儀檢定功能。

主電路採用雙管雙正激拓撲結構，採用了逐脈衝電流比較控制技術和軟開關技術。

研究了一種新型直流電流比較儀，它包括兩個環節：雙向自飽和磁放大器和雙鐵芯自飽和磁放大器。