介質擊穿造句怎麼寫

二百零其次，進行了拋光電極表面和添加乙二醇對加壓水介質擊穿影響的研究。

因此擊穿電壓的檢測必須重視電介質擊穿現象的電參數值的測量。

提出了芯片門電路硅氧化層靜電放電介質擊穿的物理模型。

在集成電路絕緣氧化層ESD介質擊穿物理模型的基礎上，討論了絕緣氧化層加上一次線*電場條件下發生介質擊穿的機理。

它們是熱膨脹、汽化和介質擊穿。

在介質擊穿的情況下，出現了一種不同類型的加速。

根據影響介質擊穿的主要因素，闡述了交流耐壓擊穿裝置的容量指標問題。

通過固體電介質擊穿理論的分析，提出由局部*缺陷發展逐漸導致介質擊穿需要較長的發展時間。