载流子浓度造句怎么写

8、测试晶体的吸收光谱、指数增益系数、衍*效率和有效载流子浓度。

10、本文从一简单模型出发，计算了丝状发光器件的电流密度、电压、载流子浓度和增益分布。

12、在室温条件下测量电流和磁场的大小对载流子浓度和迁移率测量结果的影响。

14、红外等离子反*光谱与晶体材料的载流子浓度、迁移率和有效质量等参数有关。

16、通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

18、然后基于半导体的速率方程理论，建立了载流子浓度随时间变化的数学模型。

20、该表达式可以用来预测激光器激*工作时，两段载流子浓度和激*波长之间的相互关系。

22、结果表明，和*溴*对PANI的质子*掺杂不同，溴掺杂过程中产生的溴负离子增加了PANI的载流子浓度，形成了电子转移复合物，提高了聚苯*的电导率。

24、从聚合物光电池中光电流和暗电流的产生机制出发，对该现象进行了解释，认为外加磁场可以有效改变单重态极化子对和三重态极化子对之间的相对比例，进而使自由载流子浓度增加。

26、从狭缝光扫描时一维载流子浓度分布的理论出发，计算了SPRITE器件的最佳读出区长度，讨论了寿命对SPRITE器件*能的影响。

28、其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的(111)晶面生长，使受主能级提高，晶体的带隙变窄，载流子浓度提高。

31、用溶胶–凝胶法制备的钴掺杂氧化锌薄膜在不同气氛下退火后均显示室温铁磁*，并且具有不同的载流子浓度。

2、这个过程与载流子浓度和晶格温度有密切关系。

4、移动的载流子迁移到冷端后会形成载流子浓度差，从而在材料两端产生热电电压。

6、与常温情况相比，低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。

9、用自动电化学C—V法测量了外延层的载流子浓度剖面分布。

13、经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过了杂质的固溶度极限。

17、为了改善反向恢复特*，必须降低通态过程中靠近阳极的过剩载流子浓度。

21、比较了外延生长参数，如生长温度、生长压强、碳硅比和气流流速，与生长率和净载流子浓度的影响关系。

25、本文叙述了通过自动电化学c - V剖面图技术，在宽的掺杂和深度范围内，载流子浓度纵向分布的测量。

29、利用耦合波方程，对两段式DF B激光器进行理论分析，得出了激光器激*工作时两段载流子浓度和激*波长之间所满足的隐含表达式。

3、非计量掺杂*时，空穴浓度大于电子浓度，载流子浓度和迁移率同时影响导电率。

7、与常温情况相比，低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升

15、在模型基础上，研究了量子化效应对反型层载流子浓度和表面电势的影响。

23、随着载流子浓度的增加，可以看到各分立量子点的分立能级过渡到了各量子点相互统一的准连续态，逐渐消除了量子点的尺寸分布效应。

1、在这个区内的载流子浓度被消耗殆尽。

11、本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式，获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。

27、对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析，并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。

19、分析认为该电导出现极值的现象是因为高温晶格氧析出导致样品空穴载流子浓度降低所致。

5、得到了电子亚带能量和波函数随自由载流子浓度的变化规律。