砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题:(1)As基态原子核外有
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砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题:
(1)As基态原子核外有________个未成对电子。
(2)Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是________。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因:____________________________________________________________________________________________。
镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
(4)二水合草*镓的结构如图1所示,其中镓原子的配位数为________,草*根离子中碳原子的杂化轨道类型为________。
(5)砷化镓的立方晶胞结构如图2(其中灰球应为Ga)所示,晶胞参数为a=0.565 nm,砷化镓晶体的密度为___________________________ g·cm-3(设NA为阿伏加德罗常数的值,列出计算式即可)。
【回答】
(12分)(1)3 (2)As>Se>Ga
(3)GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高,原因是它们均为分子晶体,相对分子质量依次增大
(4)4 sp2 (5)()
知识点:物质结构 元素周期律单元测试
题型:综合题
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