带隙造句怎么写

用全矢量平面波法计算三角结构光子晶体光纤的带隙。

结果表明声子带隙将出现在两个完全分离的共振态之间.

在带隙附近存在四个表面态带，其中的两个占有表面态带已由价带的同步辐*光电子能谱实验得到*实。

本论文为整个*频收发机芯片设计了一种高*能的带隙基准电压源。

锗反蛋白石的测试光谱图有明显的光学反*峰,表现出光子带隙效应.

当这些三维的有序大孔材料具有孔维度和可见光的波长相当时，它们就可以作为光子带隙和带阻。

德国和瑞士的研究人员发展出一种新方法来制取极窄的石墨烯带，并能使其有确定的宽度和带隙。

其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的(111)晶面生长，使受主能级提高，晶体的带隙变窄，载流子浓度提高。

然而，与半导体硅不同，石墨烯的价带和导带之间没有带隙。

天线内层是窄带隙的纳米管，与此相反，外层的纳米管则具有较宽的带隙。

当层厚递变时，光子带隙均向长波方向移动。

这些此阿里奥具有高线*和非线*折*率，对带隙光具有感光*。

在一个间接带隙材料，像锗元素，最低能级与价带（绿*）的动量差不同（参见黄*和黑*的箭头）。

低溅*功率下，与键角畸变有关的结构无序是导致光学带隙变窄的主要因素。

利用电磁带隙结构改善微带阵列天线的电学特*，结果发现，天线阵阵元间的互耦能得到比较好的抑制。

最终，靠采用完全带隙声子晶体衬底，我们获得了只有单个辐*支的定向辐*，它的半强角宽大约为。

结果表明三种晶体皆为非直接带隙物质。

它必须失去足够的能量，属于过去的带隙纳入地方电子获准。

一百介绍群论在光子晶体带隙平面波展开法计算中的应用，推导了改进后的算法公式。

半导体分为两种，一种有直接带隙，像镓砷化物，另一种有间接带隙，像锗元素和硅元素。

金属光子带隙结构在高能加速器、微波真空电子器件和太赫兹波源等方*有重要的应用前景。

这种带足够窄以至于形成电学带隙，从而拥有开关*能。

这种获得能量的电子和他留在原来能级上对应的位置的空穴的相互作用叫做一个激子激发过程，而这两个不同能级之间的部分被称作带隙。