热载流子造句怎么写

本文针对目前研究较多的自加热退化和热载流子退化机制做了更深入的探讨，比较了两者的差别，并介绍了它们在反转模式下出现的退化恢复现象。

研究了MOS器件中的热载流子效应，在分析了静态应力下MOSFET寿命模型的基础上，提出了动态应力条件下MOSFET的寿命模型。

实验结果表明：前沟道的热载流子应力在前栅界面不仅诱生相当数量的界面陷阱，同样产生出很大的界面电荷。

对深亚微米器件中热载流子效应(hce)进行了研究。

热载流子通过发*和吸收声子,与晶格进行能量交换.

当施加反向偏置电压时，形成的耗尽层厚度变大，从而使热载流子的产生减到最小。

基于流体动力学能量输运理论，对槽栅PMOSFET器件的端口特*进行了*研究，包括栅极特*、漏极驱动能力和抗热载流子*能等。

在热载流子应力条件下，器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。

此外，文中还介绍了交流应力下的热载流子退化现象，以及在一些特殊器件结构中的退化现象.

随着MOS器件尺寸逐渐减小，由热载流子效应导致的损伤变得越来越严重，已成为影响器件*能的主要失效机制之一。

本文简略地介绍处理半导体中热载流子输运的一个解析方法——平衡方程方法。

热载流子通过发*和吸收声子，与晶格进行能量交换。