载流子造句怎么写

热载流子通过发*和吸收声子，与晶格进行能量交换。

平衡晶体中载流子的产生与复合处于动态平衡之中。

进一步的分析认为，P3峰很可能联系于欠掺杂区载流子的异常行为。

这一设计包含了一条足够细的隧道，当它关闭时，里面完全没有载流子(电子或空穴)，当它打开时，里面便充满了载流子，起到了阀门的作用。

在导电高聚物的有机发光中，的注入载流子形成三重态激子，但是三重态激子是不能自动发光的。

此外，文中还介绍了交流应力下的热载流子退化现象，以及在一些特殊器件结构中的退化现象.

双异质结构实现了光和载流子的完全限制，使阈值电流密度大幅度下降。

分析有源区内载流子和VCL光子密度的变化，揭示了增益钳制的物理机理。

实验认为，器件*能退化是由中子辐照砷化镓材料的载流子去除效应引起的。

在考虑了各种散*效应对迁移率的影响后，提出了短沟道MOST表面载流子迁移率的温度模型。

以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。

该表达式可以用来预测激光器激*工作时，两段载流子浓度和激*波长之间的相互关系。

在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下，推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式。

在此基础上，着重对阈值附近半导体激光器的载流子密度、输出功率以及阈值电流等重要特*进行了研究。

基于流体动力学能量输运理论，对槽栅PMOSFET器件的端口特*进行了*研究，包括栅极特*、漏极驱动能力和抗热载流子*能等。

光子探测器对不同波长的分光响应是不同的，但是存在一个由束缚和自由载流子之间的半导体能隙所确定的能阈。

文章研究了掺铁铌*锂晶体在激光辐*下的电荷输运迁移，探讨了光折变过程中光生载流子的漂移、扩散、光致电压以及空间电荷场的动态过程。

从狭缝光扫描时一维载流子浓度分布的理论出发，计算了SPRITE器件的最佳读出区长度，讨论了寿命对SPRITE器件*能的影响。

Ge量子点中的退相可能是载流子-载流子散*和载流子-声子散*共同作用的结果。

在热载流子应力条件下，器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。

这个过程与载流子浓度和晶格温度有密切关系。

其中，第一个晶粒间界能够最有效地减少注入饱和少数载流子电流。

本文回顾了超声波与半导体中的载流子之间的声电相互作用。

在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献，从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。

在室温条件下测量电流和磁场的大小对载流子浓度和迁移率测量结果的影响。

这种材料中的载流子，许多特*都差不多可用真空中的自由电子的特*来表征。

另外试验结果也给研究有机发光二极管中载流子迁移率提供了一些线索。

指出能量转换特*的最重要的弛豫过程是电子-声子相互作用，决定了由电子载流子系统到晶格的能量转换。

利用稳态速率方程，导出了激光器有源区载流子密度与偏置电流及输入信号光功率关系的隐函数表达式。

由于载流子引起的群速度*散效应，使远离饱和区工作的TW-SLA会对有频率啁啾的光脉冲产生展宽或压缩。

从统计分布规律出发，讨论了简并和非简并情况下载流子等的异同，提出简并条件下需采用费米分布来修正迁移率等。

的钝化效应减少了载流子的散*中心，降低了晶界势垒，有效地提高了载流子的迁移率。

热载流子通过发*和吸收声子,与晶格进行能量交换.

利用少数载流子的稳态连续*方程和半导体材料对光的吸收，求出光电流的表达式。

计算结果表明，发*区载流子寿命的变化几乎不影响注入到基区的电子电流，但却成反比例地影响基区空穴电流。

对于较高温度下制备的tco薄膜，对载流子迁移率起主要作用的散*机制是带电离子散*和电中*复合粒子散*。

载流子注入水平的降低，减少了腔面处非辐*复合的发生，因而提高了激光器的灾变*光学损伤阈值。

假设自旋极化子和不带自旋的双极化子为有机半导体中的载流子。

红外等离子反*光谱与晶体材料的载流子浓度、迁移率和有效质量等参数有关。

而这种计算机模拟方法不仅可以得到自由光电子的衰减曲线，还可同时获得各种俘获中心中载流子的行为曲线。

传导*（学方面）-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。

用于修饰或说明其中既有多数载流子又有少数载流子的半导体器件。

本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论。