![工业上可用粗硅(含铁、铝、硼、*等杂质)与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3，：Si+3HCl=SiHCl3...]( "工业上可用粗硅(含铁、铝、硼、*等杂质)与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3，：Si+3HCl=SiHCl3...")
- 问题详情：工业上可用粗硅(含铁、铝、硼、*等杂质)与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3，：Si+3HCl=SiHCl3+H2，SiHCl3与过量的H2在1000℃～1100℃反应制得纯硅。有关物质的物理常数见下表：物质SiCl4BCl3AlCl3FeCl3SiHCl3PCl5沸点/℃57.712.8—31533.0—熔点/℃-70.0-107.2——-126.5—升...
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![实验室用H2还原SiHCl3(沸点：31.85℃)制备纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去)，下列说...]( "实验室用H2还原SiHCl3(沸点：31.85℃)制备纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去)，下列说...")
- 问题详情：实验室用H2还原SiHCl3(沸点：31.85℃)制备纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去)，下列说法正确的是( )A.装置Ⅱ、Ⅲ中依次盛装的是浓H2SO4、*水B.实验时，应先加热管式炉，再打开盛装稀硫*的分液漏斗C.为鉴定制得的硅中是否含微量铁单质，用到的试剂可以为...
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![制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应实现①Si（固）+3HCl（气）SiHCl3（气）+H...]( "制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应实现①Si（固）+3HCl（气）SiHCl3（气）+H...")
- 问题详情：制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应实现①Si（固）+3HCl（气）SiHCl3（气）+H2（气） ②SiHCl3+H2Si+3HCl对上述两个反应的叙述中，错误的是（）A．两个反应都是置换反应B．据反应条件无法判断反应是否吸热C．两个反应互为可逆反应D．两个反应都是氧化还原反应【回答】【...
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![制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三**硅*(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如...]( "制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三**硅*(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如...")
- 问题详情：制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三**硅*(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如下：（1）写出由石英砂制取粗硅的化学方程式 ；由纯SiHCl3制备高纯硅的化学方程式________...
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![三**硅(SiHCl3)是制备硅*、多晶硅的重要原料。回答下列问题：(1)SiHCl3在常温常压下为易挥发的无...]( "三**硅(SiHCl3)是制备硅*、多晶硅的重要原料。回答下列问题：(1)SiHCl3在常温常压下为易挥发的无...")
- 问题详情：三**硅(SiHCl3)是制备硅*、多晶硅的重要原料。回答下列问题：(1)SiHCl3在常温常压下为易挥发的无*透明液体，遇潮气时发烟生成(HSiO)2O等，写出该反应的化学方程式_____________________________________________________。(2)SiHCl3在催化剂作用下发生反应：2SiHCl3(g)=...
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