目前半導體生產正在進行一場“銅芯片”*:在硅芯片上用銅代替鋁佈線。古老的金屬銅在現代科技應用上取得了突破。用...
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問題詳情:
目前半導體生產正在進行一場“銅芯片”*:在硅芯片上用銅代替鋁佈線。古老的金屬銅在現代科技應用上取得了突破。用黃銅礦(主要成分爲CuFeS2)生產粗銅,其反應原理如圖:
(1)基態銅原子的價電子排布式爲______,硫、氧元素相比,第一電離能較大的元素是_____(填元素符號)。
(2)反應①、②中均有SO2氣體生成,SO2分子的中心原子雜化類型是____,其立體結構是____。
(3)某學生用硫*銅溶液與氨水做了一組實驗:CuSO4溶液藍*沉澱沉澱溶解,得到深藍*透明溶液。生成藍*沉澱溶於氨水的離子方程式爲____;
(4)銅是第四周期最重要的過渡元素之一,其單質及化合物具有廣泛用途。銅晶體中銅原子堆積方式爲________;銅的某種氧化物晶胞結構如圖所示,若該晶體的密度爲dg/cm3,阿伏加德羅常數的值爲NA,則該晶胞中銅原子與氧原子之間的最近距離爲________pm。(用含d和NA的式子表示)
【回答】
3d104s1 O sp2 V型 或
面心立方最密堆積 1010pm
【詳解】
(1)銅位於第四周期IB族,價電子包括最外層電子和次外層電子的d能級,即銅原子的價電子爲3d104s1,同主族從上到下第一電離能減小,即O的第一電離能最大;
(2)產生的氣體爲SO2,中心原子S的含有2個σ鍵,孤電子對數 =1,雜化軌道數爲3,即類型是sp2,立體結構是V型;
(3)形成絡合物,其離子反應方程式爲:或;
(4)銅晶體的是面心立方最密堆積,O的個數爲8×+1=2,銅位於體心,化學式爲Cu2O,晶胞的質量爲g,根據晶胞的密度定義,晶胞的邊長是cm,銅和氧原子最近的原子之間距離是體對角線的,因此距離是1010pm。
知識點:物質結構與*質綜合考查
題型:綜合題
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