化學氣相沉積造句怎麼寫

本發明描述使用定向反應物氣流和相對於所述氣流移動的基板的次大氣壓化學氣相沉積。

用化學氣相沉積法制備碲薄膜，其步驟為：通過電化學方法制得碲化*，碲化*在室温下分解後在聚乙烯塑料箔上沉積得到碲薄膜。

利用熱絲化學氣相沉積，在預沉積無定形碳的硅鏡面基底及表面研磨預處理的銅基底上，實現了金剛石薄膜的沉積，並由此討論了金剛石的成核機理。

由於氧化化學氣相沉積技術是乾燥的無溶劑過程，所以米紙在印刷後仍然完好無損。

等離子體化學氣相沉積技術製備*化硅薄膜工藝條件成熟穩定而成為薄膜製備的首選方法。

提出了一種新穎的多孔硅表面鈍化技術，即採用微波等離子體輔助的化學氣相沉積（MPCVD）方法在多孔硅上沉積金剛石薄膜。

以鎳片為基板材料，利用微波等離子體化學氣相沉積法在低温條件下合成了納米碳管膜。

利用微波等離子體化學氣相沉積方法，以H 2、CH4和八*基環四硅氧*(D4)為原料，在硬質合金基體上沉積了金剛石塗層。

研究了在熱*極輝光放電等離子體化學氣相沉積金剛石膜過程中，熱*極輝光放電特*與金剛石膜沉積工藝的關係。

化學氣相沉積（）法工藝能製備諸如碳化物、氮化物、硼化物、氧化物等CVD多種陶瓷，因而具有廣闊的應用前景。

介紹了等離子體化學工藝，特別着重介紹了濺*鍍膜與等離子體化學氣相沉積在粉末冶金中的應用。

應用二維準平面電路模型對等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）大面積平行板電極間電勢差分佈均勻*進行了數值研究。

除了傳統的由TiO2作為成反*膜的工藝外,由等離子體化學氣相沉積法(PECVD)製作的SiN是很有效的減反*膜,又是有效的表面鈍化膜。

本系統中的數字量由PLC控制，數字量主要控制真空系統燒結爐和化學氣相沉積爐中各通氣管路中的開關量

為了滿足製備較厚低摩擦係數類金剛石薄膜（DLC）耐磨鍍層的實際需求，對在等離子增強化學氣相沉積的類金剛石薄膜（W-DLC）中摻鎢進行了系統研究。

為了增加奈米結構材料之應用範圍，例如製作磁記憶媒體，本研究以觸媒輔助電子迴旋共振化學氣相沉積法(CR-CVD)用CH4及H2為反應氣源，於矽基材上成功的合成鑲埋有磁*顆粒的碳奈米材料。

所用的碳納米管是用熱燈絲化學氣相沉積法合成的.

二百為快速沉積高品質金剛石膜，建立了熱*極等離子體化學氣相沉積方法。

本文系統研究了石英鐘罩式微波等離子體輔助化學氣相沉積裝置對沉積金剛石薄膜的影響。

量子化學方法在研究化學氣相沉積反應體系的反應機理、動力學計算方面有很大的潛力。

本研究系以管狀高温爐利用化學氣相沉積製程來合成氧化鋅奈米線及奈米柱。

塗層的化學氣相沉積(CVD)和表面層改*的物理氣相沉積(PVD)塗層的離子注入，所有三個正在受到考驗，並部分使用。

採用甚高頻等離子體增強化學氣相沉積技術製備了不同襯底温度的微晶硅薄膜。

用*氣、**蒸汽為源氣體，通過微波增強的化學氣相沉積方法，實現了在金剛石表面氣相外延生長單晶金剛石薄膜。

研究人員採用名為“氧化化學氣相沉積”的新技術將太陽能電池印刷在可食用的米紙上，這種紙在餐廳被用來包裹春捲，其遇濕就會溶化。

以WF6和H2為原料，粉末冶金鎢板為基體，採用熱絲開管氣流化學氣相沉積試驗裝置，成功地製備出可變形鎢錠。

此外，鉑電極複合方法還有熔鹽電鍍，磁控濺*，化學氣相沉積等，指出了各種方法的優缺點及發展方向。

本文評述了化學氣相沉積法制備人造金剛石薄膜的進展情況

大電流熱*極輝光放電用於等離子體化學氣相沉積金剛石膜，有效地提高了沉積速率和膜品質。

課堂講授和實驗課重點介紹了基本製程技術，如擴散、氧化、光刻、化學氣相沉積等。

直流熱*極輝光放電等離子體化學氣相沉積法是我們建立的快速沉積高品質金剛石膜的新方法。

以*苯為碳源，二茂鐵為催化劑，噻吩為生長促進劑，通過化學氣相沉積方法得到了多分叉結構的炭。

在較佳具體實施例中，該共沉積作用系以等離子體強化化學氣相沉積法進行。

探討如何用電子迴旋共振化學氣相沉積(ECRCVD)設備製備非晶態氮化硅介質膜和光學膜。

利用化學氣相沉積製備碳納米管的過程中，在含氮的氣體環境中，竹節型結構的碳納米管在催化劑的作用下可製備出來。

為快速沉積高品質金剛石膜,建立了熱*極等離子體化學氣相沉積方法.

一種含有水凝膠-碳納米管的味覺傳感器的製備方法，在基板上，用真空濺*法或化學氣相沉積法制成帶有金焊盤的匙狀金電極；

應用改進的化學氣相沉積法，成功地合成出一種新的竹節狀硅納米管材料。