![科研人員最新研製成一種新型的氮化鎵（GaN）晶體管，有望取代傳統晶體管。氮化鎵中鎵元素（ ）。A．為+3價 ...]( "科研人員最新研製成一種新型的氮化鎵（GaN）晶體管，有望取代傳統晶體管。氮化鎵中鎵元素（ ）。A．為+3價 ...")
- 問題詳情：科研人員最新研製成一種新型的氮化鎵（GaN）晶體管，有望取代傳統晶體管。氮化鎵中鎵元素（ ）。A．為+3價 B．位於第IA族C．位於第三週期 D．離子半徑大於其原子半徑【回答】A ...
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![科學家用氮化鎵(GaN)材料與銅作電極組裝如下圖所示的人工光合系統，成功地實現了以CO2和H2O合成CH4。下...]( "科學家用氮化鎵(GaN)材料與銅作電極組裝如下圖所示的人工光合系統，成功地實現了以CO2和H2O合成CH4。下...")
- 問題詳情：科學家用氮化鎵(GaN)材料與銅作電極組裝如下圖所示的人工光合系統，成功地實現了以CO2和H2O合成CH4。下列説法不正確的是（ ） A．該過程是將太陽能轉化為化學能和電能B．GaN表面發生氧化反應,有O2產生C．電解液中H+從質子交換膜右側向左側遷移D．Cu表面電極反應式：CO2+8e...
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![工業上利用Ga與NH3高温條件下合成固體半導體材料氮化稼(GaN)同時有*氣生成。反應中，每生成3molH2時...]( "工業上利用Ga與NH3高温條件下合成固體半導體材料氮化稼(GaN)同時有*氣生成。反應中，每生成3molH2時...")
- 問題詳情：工業上利用Ga與NH3高温條件下合成固體半導體材料氮化稼(GaN)同時有*氣生成。反應中，每生成3molH2時放出30.8kJ的熱量。恆温恆容密閉體系內進行上述反應，下列有關表達正確的是A．I圖像中如果縱座標為正反應速率，則t時刻改變的條件可以為升温或加壓B．II圖像中縱座標可以...
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![GaN可用於製備半導體材料，具有耐高温、抗輻*、耐*鹼、高強度和高硬度等特*。下列物質熔化時所克服微粒間作用與...]( "GaN可用於製備半導體材料，具有耐高温、抗輻*、耐*鹼、高強度和高硬度等特*。下列物質熔化時所克服微粒間作用與...")
- 問題詳情：GaN可用於製備半導體材料，具有耐高温、抗輻*、耐*鹼、高強度和高硬度等特*。下列物質熔化時所克服微粒間作用與GaN相同的是（ ）A．金剛石 B．鐵 C．食鹽 D．蔗糖【回答】A知識點：物質結構元素週期律單元測試題型：選擇題...
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