![三*化氮（NF3）是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體，無*，無臭，在潮濕空氣中泄露會產生白霧，紅棕*氣體等...]( "三*化氮（NF3）是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體，無*，無臭，在潮濕空氣中泄露會產生白霧，紅棕*氣體等...")
- 問題詳情：三*化氮（NF3）是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體，無*，無臭，在潮濕空氣中泄露會產生白霧，紅棕*氣體等現象，反應方程式為：aNF3＋bH2O＝c ＋dHNO3＋eHF。下列説法正確的是（ ）A．反應方程式橫線處的物質為NO，且a＝3，b＝5，c＝2，d＝1，e＝9B．反應中被氧化與被還原的原子物質的量之比為2：1C．若...
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![三*化氮（NF3）是微電子工業中優良的等離子刻蝕氣體，它在潮濕的環境中能發生反應：3NF3+5H2O=2NO+...]( "三*化氮（NF3）是微電子工業中優良的等離子刻蝕氣體，它在潮濕的環境中能發生反應：3NF3+5H2O=2NO+...")
- 問題詳情：三*化氮（NF3）是微電子工業中優良的等離子刻蝕氣體，它在潮濕的環境中能發生反應：3NF3+5H2O=2NO+HNO3+9HF。下列有關該反應的説法正確的是（ ）3是氧化劑，H2O是還原劑 B.還原劑與氧化劑的物質的量之比為2:1C.若生成0.2molHNO3，則轉移0.2mol...
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![三*化氮(NF3)是微電子工業中優良的等離子刻蝕氣體，它在潮濕的環境中能發生反應：3NF3＋5H2O===2N...]( "三*化氮(NF3)是微電子工業中優良的等離子刻蝕氣體，它在潮濕的環境中能發生反應：3NF3＋5H2O===2N...")
- 問題詳情：三*化氮(NF3)是微電子工業中優良的等離子刻蝕氣體，它在潮濕的環境中能發生反應：3NF3＋5H2O===2NO＋HNO3＋9HF。下列有關説法正確的是A．NF3既是氧化劑，又是還原劑B．還原劑與氧化劑的物質的量之比為2∶1C．若生成0.2molHNO3，則轉移0.2mol電子D．NF3在潮濕的空氣中泄漏會產生無*氣體...
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![三*化氮(NF3)是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體。它無*、無臭，在潮濕的空氣中能發生下列反應：3NF3...]( "三*化氮(NF3)是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體。它無*、無臭，在潮濕的空氣中能發生下列反應：3NF3...")
- 問題詳情：三*化氮(NF3)是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體。它無*、無臭，在潮濕的空氣中能發生下列反應：3NF3＋5H2O＝2NO＋HNO3＋9HF，下列有關説法正確的是A．反應中NF3是氧化劑，H2O是還原劑B．反應中被氧化與被還原的原子物質的量之比為2∶1C．若反應中生成0.2molHNO3，則反應共轉移0.2m...
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![科學家發現，在液晶電視等製造過程中使用的三*化氮(NF3)的温室效應是二氧化碳的1．7萬倍。NF3中*元素為-...]( "科學家發現，在液晶電視等製造過程中使用的三*化氮(NF3)的温室效應是二氧化碳的1．7萬倍。NF3中*元素為-...")
- 問題詳情：科學家發現，在液晶電視等製造過程中使用的三*化氮(NF3)的温室效應是二氧化碳的1．7萬倍。NF3中*元素為-1價，則氮元素的化合價是【 】 A．-3 B．0 C．+1 D．+...
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![根據價層電子對互斥理論及原子軌道的雜化理論判斷NF3分子的空間構型和中心原子的雜化方式為（）A.直線形sp雜化...]( "根據價層電子對互斥理論及原子軌道的雜化理論判斷NF3分子的空間構型和中心原子的雜化方式為（）A.直線形sp雜化...")
- 問題詳情：根據價層電子對互斥理論及原子軌道的雜化理論判斷NF3分子的空間構型和中心原子的雜化方式為（）A.直線形sp雜化 B.三角形 sp2雜化C.三角錐形 sp2雜化 ...
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![三*化氮(NF3)是微電子工業中一種優良的等離子體，NF3能與水發生反應：3NF3＋5H2O===2NO＋HN...]( "三*化氮(NF3)是微電子工業中一種優良的等離子體，NF3能與水發生反應：3NF3＋5H2O===2NO＋HN...")
- 問題詳情：三*化氮(NF3)是微電子工業中一種優良的等離子體，NF3能與水發生反應：3NF3＋5H2O===2NO＋HNO3＋9HF。下列説法中正確的是()A．NF3只作氧化劑B．氧化劑與還原劑的物質的量之比為3：5C．每生成0.2molHNO3，轉移電子的物質的量為0.4molD．HF為還原產物【回答】*：C解析：NF3在反應中N的化合價...
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![三*化氮(NF3)是一種無*、無味的氣體，它是微電子工業技術的關鍵原料之一，三*化氮在潮濕的空氣中與水蒸氣能發...]( "三*化氮(NF3)是一種無*、無味的氣體，它是微電子工業技術的關鍵原料之一，三*化氮在潮濕的空氣中與水蒸氣能發...")
- 問題詳情：三*化氮(NF3)是一種無*、無味的氣體，它是微電子工業技術的關鍵原料之一，三*化氮在潮濕的空氣中與水蒸氣能發生氧化還原反應，其反應的產物有HF、NO和HNO3，請根據要求回答下列問題：(1)反應過程中，被氧化與被還原的元素原子的物質的量之比為________。(2)寫出該反應的化學...
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![三*化氮（NF3）是一種無*無味的氣體，它是氨（NH3）和*氣（F2）在一定條件下直接反應得到的。4NH3+3...]( "三*化氮（NF3）是一種無*無味的氣體，它是氨（NH3）和*氣（F2）在一定條件下直接反應得到的。4NH3+3...")
- 問題詳情：三*化氮（NF3）是一種無*無味的氣體，它是氨（NH3）和*氣（F2）在一定條件下直接反應得到的。4NH3+3F2==NF3+3NH4F。下列關於三*化氮的敍述，正確的是（ ）A.NF3中的N呈-3價B.電負*由大到小的順序：H>N>FC.NF3可能是一種極*分子D.NF3和NH4F都分子晶體【回答】【*】C【解析】NF3中F的化...
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![三*化氮（NF3）是無*無味的氣體，它可由氨和*直接反應得到：4NH3+3F2=NF3+3NH4F，下列有關N...]( "三*化氮（NF3）是無*無味的氣體，它可由氨和*直接反應得到：4NH3+3F2=NF3+3NH4F，下列有關N...")
- 問題詳情：三*化氮（NF3）是無*無味的氣體，它可由氨和*直接反應得到：4NH3+3F2=NF3+3NH4F，下列有關NF3的敍述正確的是 A．NF3是離子化合物 B．NF3中的N呈+3價C．NF3的氧化*比F2強 D．NF...
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![在微電子工業中NF3常用作氮化硅的蝕刻劑，工業上通過電解含NH4F等的無水熔融物生產NF3，其電解原理如圖。下...]( "在微電子工業中NF3常用作氮化硅的蝕刻劑，工業上通過電解含NH4F等的無水熔融物生產NF3，其電解原理如圖。下...")
- 問題詳情：在微電子工業中NF3常用作氮化硅的蝕刻劑，工業上通過電解含NH4F等的無水熔融物生產NF3，其電解原理如圖。下列説法不正確的是( )A.a電極為電解池的陽極B.陽極的電極反應式：NH4++3F--6e—===NF3+4H+C.電解過程中可能還會生成少量氧化*極強的氣體單質，該氣體的分子式...
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![下列説法中正確的是( )A．BF3、NF3分子的價層電子對互斥模型均為平面正三角形B．H—Cl的鍵能為...]( "下列説法中正確的是( )A．BF3、NF3分子的價層電子對互斥模型均為平面正三角形B．H—Cl的鍵能為...")
- 問題詳情：下列説法中正確的是( )A．BF3、NF3分子的價層電子對互斥模型均為平面正三角形B．H—Cl的鍵能為431.8kJ·mol-1，H—I的鍵能為298.7kJ·mol-1，這可以説明HCl分子比HI分子穩定C．可燃*是**的結晶水合物，**可與水形成*鍵D．因為N-H鍵能比P-H大，所以NH3沸點比PH3高【回答...
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![科學家發現，在液晶電視等製造過程中使的三*化氮（NF3）的温室效應是二氧化碳的1.7萬倍．NF3中*元素為﹣1...]( "科學家發現，在液晶電視等製造過程中使的三*化氮（NF3）的温室效應是二氧化碳的1.7萬倍．NF3中*元素為﹣1...")
- 問題詳情：科學家發現，在液晶電視等製造過程中使的三*化氮（NF3）的温室效應是二氧化碳的1.7萬倍．NF3中*元素為﹣1價，則氮元素的化合價是( )A．﹣3 B．0 C．+1 D．+3【回答】【考點】有關元素化合價的計算．【專題】化學式的計算．【分析】根據在化合物中正負化合價代數和為零計算...
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![生產液晶顯示器過程中使用的化學清洗劑NF3是一種温室氣體，其存儲能量的能力是CO2的12000-20000倍，...]( "生產液晶顯示器過程中使用的化學清洗劑NF3是一種温室氣體，其存儲能量的能力是CO2的12000-20000倍，...")
- 問題詳情：生產液晶顯示器過程中使用的化學清洗劑NF3是一種温室氣體，其存儲能量的能力是CO2的12000-20000倍，在大氣中的壽命可長達740年之久，以下是幾種化學鍵的鍵能：化學鍵鍵能941.7154.8283.0下列説法中正確的是A．反應中為吸熱反應B． 過程放出能量C． 反應中，N2與F2的總能量小於...
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![三*化氮(NF3)是無*無味氣體，它可由氨氣和*氣反應制得：4NH3＋3F2===NF3＋3NH4F。下列説法...]( "三*化氮(NF3)是無*無味氣體，它可由氨氣和*氣反應制得：4NH3＋3F2===NF3＋3NH4F。下列説法...")
- 問題詳情：三*化氮(NF3)是無*無味氣體，它可由氨氣和*氣反應制得：4NH3＋3F2===NF3＋3NH4F。下列説法正確的是（）A、NH4F的還原*比NH3強 B、NF3的氧化*比F2強C、該反應中被氧化和被還原物質的物質的量之比為4∶3D、該反應中得到1molNF3時，轉移6mol...
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![純三*化氮(NF3)在集成電路、大型屏幕液晶顯示屏(TFT-LCD)的生產中，作為清洗劑之用。三*化氮在潮濕的...]( "純三*化氮(NF3)在集成電路、大型屏幕液晶顯示屏(TFT-LCD)的生產中，作為清洗劑之用。三*化氮在潮濕的...")
- 問題詳情：純三*化氮(NF3)在集成電路、大型屏幕液晶顯示屏(TFT-LCD)的生產中，作為清洗劑之用。三*化氮在潮濕的空氣中與水蒸氣能發生氧化還原反應，其反應的產物有：HF、NO和HNO3，請根據要求回答下列問題：（1）NF3的電子式為 。（2）寫出該反應的化學方程式。 ...
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![三*化氮(NF3)是一種新型電子材料，它在潮濕的空氣中與水蒸氣能發生氧化還原反應，其反應的產物有：HF、NO和...]( "三*化氮(NF3)是一種新型電子材料，它在潮濕的空氣中與水蒸氣能發生氧化還原反應，其反應的產物有：HF、NO和...")
- 問題詳情：三*化氮(NF3)是一種新型電子材料，它在潮濕的空氣中與水蒸氣能發生氧化還原反應，其反應的產物有：HF、NO和HNO3，請根據要求回答下列問題：(1)反應過程中，被氧化與被還原的元素的物質的量之比為______________。(2)寫出該反應的化學方程式，並標出電子轉移的方向和數目：______...
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![在銅的催化作用下，氨氣和*氣反應：4NH3+3F2NF3+3NH4F。下列有關説法不正確的是( )A．NF3分...]( "在銅的催化作用下，氨氣和*氣反應：4NH3+3F2NF3+3NH4F。下列有關説法不正確的是( )A．NF3分...")
- 問題詳情：在銅的催化作用下，氨氣和*氣反應：4NH3+3F2NF3+3NH4F。下列有關説法不正確的是( )A．NF3分子中每個原子均為8電子穩定結構B．NF3是非極*分子C．NF3既是氧化產物，又是還原產物D．NH4F中既含有離子鍵，又含有共價鍵【回答】B知識點：化學鍵題型：選擇題...
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