![鍺(Ge)是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：（1）基態原子的核外電子排布式為[Ar...]( "鍺(Ge)是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：（1）基態原子的核外電子排布式為[Ar...")
- 問題詳情：鍺(Ge)是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：（1）基態原子的核外電子排布式為[Ar]____________，有__________個未成對電子。（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叄鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叄鍵。從原子結構角度分析，原因是__________...
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![鍺*鉍（Bi4Ge3O12）是我國研製的一種閃爍晶體材料。已知鍺*鉍中鍺（Ge）的化合價為+4價，則鍺*鉍中鉍...]( "鍺*鉍（Bi4Ge3O12）是我國研製的一種閃爍晶體材料。已知鍺*鉍中鍺（Ge）的化合價為+4價，則鍺*鉍中鉍...")
- 問題詳情：鍺*鉍（Bi4Ge3O12）是我國研製的一種閃爍晶體材料。已知鍺*鉍中鍺（Ge）的化合價為+4價，則鍺*鉍中鉍（Bi）的化合價為（ ）A．+4 B．+3 C．+2 D．+l【回答】B知識點：化學式與化合價題型：選擇題...
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![鍺（Ge）是第四周期第ⅣA元素，處於週期表中金屬區與非金屬區的交界線上，下列敘述正確的是A．鍺是一種金屬*很強...]( "鍺（Ge）是第四周期第ⅣA元素，處於週期表中金屬區與非金屬區的交界線上，下列敘述正確的是A．鍺是一種金屬*很強...")
- 問題詳情：鍺（Ge）是第四周期第ⅣA元素，處於週期表中金屬區與非金屬區的交界線上，下列敘述正確的是A．鍺是一種金屬*很強的元素 B．鍺的單質具有半導體的*能C．鍺化*（GeH4）穩定*很強 D．鍺*（H4GeO4）是難溶於水的強*【回答】B知識點：物質結構...
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![下列敘述正確的是A．Ge是IVA族元素，其核外電子排布式為Ge:4s24p2，屬於P區元素B．非極*分子往往是...]( "下列敘述正確的是A．Ge是IVA族元素，其核外電子排布式為Ge:4s24p2，屬於P區元素B．非極*分子往往是...")
- 問題詳情：下列敘述正確的是A．Ge是IVA族元素，其核外電子排布式為Ge:4s24p2，屬於P區元素B．非極*分子往往是高度對稱的分子，比如BF3，PC15，H2O2，CO2這樣的分子C．有機物固態時都是分子晶體D．熔融狀態的HgC12不能導電，HgC12的稀溶液有弱的導電能力且可作手術*的消毒液，從不同角度分類HgC12是...
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![碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb。（1）碳奈米管由單層或多層石墨層捲曲而成，其結構類似於石墨晶體，每個碳...]( "碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb。（1）碳奈米管由單層或多層石墨層捲曲而成，其結構類似於石墨晶體，每個碳...")
- 問題詳情：碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb。（1）碳奈米管由單層或多層石墨層捲曲而成，其結構類似於石墨晶體，每個碳原子通過________雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳奈米管的層與層之間靠________結合在一起。（2）CH4*用電子對偏向C，SiH4*用電子對偏向H，則C、Si、H的電負*由大到小的順序...
- 17386
![如圖（1），已知點G在正方形ABCD的對角線AC上，GE⊥BC，垂足為點E，GF⊥CD，垂足為點F．（1）*...]( "如圖（1），已知點G在正方形ABCD的對角線AC上，GE⊥BC，垂足為點E，GF⊥CD，垂足為點F．（1）*...")
- 問題詳情：如圖（1），已知點G在正方形ABCD的對角線AC上，GE⊥BC，垂足為點E，GF⊥CD，垂足為點F．（1）*與推斷：①求*：四邊形CEGF是正方形；②推斷：的值為 ：（2）探究與*：將正方形CEGF繞點C順時針方向旋轉α角（0°＜α＜45°），如圖（2）所示，試探究線段AG與BE之間的數量關係，並說明理由：（3）拓展與運用：正方形CEGF在旋轉...
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![C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質及其化合物在材料、醫*等方面有重要應用。請回答下列問題：（1）Si...]( "C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質及其化合物在材料、醫*等方面有重要應用。請回答下列問題：（1）Si...")
- 問題詳情：C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質及其化合物在材料、醫*等方面有重要應用。請回答下列問題：（1）Si的原子核外價電子排布圖為 （2）金剛石的結構是正四面體則其中的碳原子雜化方式是 ...
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![體驗數字生活，暢想智慧未來。完成下面小題1．2018年12月，以“融合.創新讓教育點亮每個人”為主題的“GE...]( "體驗數字生活，暢想智慧未來。完成下面小題1．2018年12月，以“融合.創新讓教育點亮每個人”為主題的“GE...")
- 問題詳情： 體驗數字生活，暢想智慧未來。完成下面小題1．2018年12月，以“融合.創新讓教育點亮每個人”為主題的“GES2O18未來教育大會”在*召開。現如今，藉助雲服務、大資料、Al等技術打破教育的地域壁壘，助力平等化學習已成常態，將教育資源向社群開放共享，推進發展學歷繼續教育、...
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![C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質及其化合物在材料、醫*等方面有重要應用。請回答下列問題：（1）S...]( "C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質及其化合物在材料、醫*等方面有重要應用。請回答下列問題：（1）S...")
- 問題詳情： C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質及其化合物在材料、醫*等方面有重要應用。請回答下列問題：（1）Si的原子核外價電子排布圖為 （2）金剛石的結構是正四面體則其中的碳原子雜化方式是 ...
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![鍺*鉍（Bi4Ge3O12）是我國研製的一種閃爍晶體材料。已知鍺*鉍中鍺（Ge）的化合價為+4價，則鍺*鉍中B...]( "鍺*鉍（Bi4Ge3O12）是我國研製的一種閃爍晶體材料。已知鍺*鉍中鍺（Ge）的化合價為+4價，則鍺*鉍中B...")
- 問題詳情：鍺*鉍（Bi4Ge3O12）是我國研製的一種閃爍晶體材料。已知鍺*鉍中鍺（Ge）的化合價為+4價，則鍺*鉍中Bi的化合價為（ ）A.+4 B.+3 C.+2 D．+1【回答】B知識點：化學式與化合價題型：選擇題...
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![如圖，在△ABC中，點D在BC邊上，連線AD，點G線上段AD上，GE∥BD，且交AB於點E，GF∥AC，且交C...]( "如圖，在△ABC中，點D在BC邊上，連線AD，點G線上段AD上，GE∥BD，且交AB於點E，GF∥AC，且交C...")
- 問題詳情：如圖，在△ABC中，點D在BC邊上，連線AD，點G線上段AD上，GE∥BD，且交AB於點E，GF∥AC，且交CD於點F，則下列結論一定正確的是( )A.＝ B.＝C.＝ D.＝【回答】D知識點：相似三角形題型：選擇題...
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![鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)均為第四周期的元素，它們在高科技尖端科學特別是資訊領域有著廣泛的...]( "鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)均為第四周期的元素，它們在高科技尖端科學特別是資訊領域有著廣泛的...")
- 問題詳情：鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)均為第四周期的元素，它們在高科技尖端科學特別是資訊領域有著廣泛的用途。試回答下列問題：（1）基態鍺原子的價電子排布圖為______________________。（2）沸點：NH3__________AsH3（填“＞”、“＜”或“＝”），原因是_________________________。（3）H2SeO...
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![我國著名化學家張青蓮精確地測定了鍺(Ge)、鋅等九種元素的相對原子質量，得到的新值被作為*新標準。已知鍺的原...]( "我國著名化學家張青蓮精確地測定了鍺(Ge)、鋅等九種元素的相對原子質量，得到的新值被作為*新標準。已知鍺的原...")
- 問題詳情：我國著名化學家張青蓮精確地測定了鍺(Ge)、鋅等九種元素的相對原子質量，得到的新值被作為*新標準。已知鍺的原子序數為32。(1)它位於元素週期表中第________週期________族。(2)鍺類似於鋁，能溶於*氧化*溶液，其主要原因是________。①它與矽位於同一主族②它與鋁位...
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![我國研製的閃爍晶體材料BixGe3O12，被應用於諾貝爾獎獲得者丁肇中的著名實驗中。其中鉍(Bi)、鍺(Ge)...]( "我國研製的閃爍晶體材料BixGe3O12，被應用於諾貝爾獎獲得者丁肇中的著名實驗中。其中鉍(Bi)、鍺(Ge)...")
- 問題詳情：我國研製的閃爍晶體材料BixGe3O12，被應用於諾貝爾獎獲得者丁肇中的著名實驗中。其中鉍(Bi)、鍺(Ge)元素的化合價分別為＋3、＋4價，則x的值為 ( )A、4 B、3 C、2 ...
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![，如圖16，工人師傅製作了一個正方形窗架，把窗架立在牆上之前，在上面釘了兩塊等長的木條GF與GE，E、F分別是...]( "，如圖16，工人師傅製作了一個正方形窗架，把窗架立在牆上之前，在上面釘了兩塊等長的木條GF與GE，E、F分別是...")
- 問題詳情：，如圖16，工人師傅製作了一個正方形窗架，把窗架立在牆上之前，在上面釘了兩塊等長的木條GF與GE，E、F分別是AD、BC的中點.（1）G點一定是AB的中點嗎？說明理由；（2）釘這兩塊木條的作用是什麼？ 【回答】（1）是.由HL知，AG＝GB；（2）利用三角形的穩定*，使窗架穩定；知識點：與三角形有關的線段題型：解答...
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![鍺(Ge)是第四周期第ⅣA族元素，處於元素週期表中金屬區與非金屬區的交界線上，下列敘述正確的是( )A．鍺是...]( "鍺(Ge)是第四周期第ⅣA族元素，處於元素週期表中金屬區與非金屬區的交界線上，下列敘述正確的是( )A．鍺是...")
- 問題詳情：鍺(Ge)是第四周期第ⅣA族元素，處於元素週期表中金屬區與非金屬區的交界線上，下列敘述正確的是()A．鍺是一種金屬*很強的元素 B．鍺的單質具有半導體的*能C．鍺化*(GeH4)穩定*很強 D．鍺*(H4GeO4)是難溶於水的強*【回答】B知識點...
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![已知鉍元素（Bi）的化合價可表現為+3或+5．鍺*鉍（簡稱BGO）是一種*能優良的閃爍晶體材料，其中鍺（Ge）...]( "已知鉍元素（Bi）的化合價可表現為+3或+5．鍺*鉍（簡稱BGO）是一種*能優良的閃爍晶體材料，其中鍺（Ge）...")
- 問題詳情：已知鉍元素（Bi）的化合價可表現為+3或+5．鍺*鉍（簡稱BGO）是一種*能優良的閃爍晶體材料，其中鍺（Ge）元素為+4價．BGO可看成由鍺和鉍兩種元素的氧化物所形成的化合物．已知在BGO中，兩種氧化物所含氧的質量相同，則BGO的化學式可能是（）A．Bi3Ge3O15 B．Bi3Ge3O12 C．Bi4Ge3O16 D．Bi4Ge3O12【...
- 21708
![.如圖，AB//CD，△EFG的頂點F，G分別落在直線AB，CD上，GE交AB於點H，GE平分∠FGD。若∠E...]( ".如圖，AB//CD，△EFG的頂點F，G分別落在直線AB，CD上，GE交AB於點H，GE平分∠FGD。若∠E...")
- 問題詳情：.如圖，AB//CD，△EFG的頂點F，G分別落在直線AB，CD上，GE交AB於點H，GE平分∠FGD。若∠EFG=90°，∠E=35°，求∠EFB的度數。【回答】知識點：各地會考題型：解答題...
- 18116
![我國研製的閃爍晶體材料BixGe3O12，被應用於諾貝爾獎獲得者丁肇中的著名實驗中．其中鉍（Bi）、鍺（Ge）...]( "我國研製的閃爍晶體材料BixGe3O12，被應用於諾貝爾獎獲得者丁肇中的著名實驗中．其中鉍（Bi）、鍺（Ge）...")
- 問題詳情：我國研製的閃爍晶體材料BixGe3O12，被應用於諾貝爾獎獲得者丁肇中的著名實驗中．其中鉍（Bi）、鍺（Ge）元素的化合價分別為+3、+4價，則x的值為（）A．4 B．3 C．2 D．1【回答】【考點】有關元素化合價的計算．【分析】根據在化合物中正負化合價代數和為零，結合BixGe3O12的化...
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![元素週期表中ⅣA元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb等，已知Sn的+2價不穩定而+4價穩定，而Pb的+2價穩定+...]( "元素週期表中ⅣA元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb等，已知Sn的+2價不穩定而+4價穩定，而Pb的+2價穩定+...")
- 問題詳情：元素週期表中ⅣA元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb等，已知Sn的+2價不穩定而+4價穩定，而Pb的+2價穩定+4價不穩定。結合所學知識，判斷下列反應中(反應條件略)正確的是（ ）①Pb+2Cl2PbCl4 ②Sn+2Cl2SnCl4 ③SnCl2+Cl2SnCl4 ④...
- 15482
![如圖，點G是△ABC的重心，GE//BC，如果BC=12，那麼線段GE的長為]( "如圖，點G是△ABC的重心，GE//BC，如果BC=12，那麼線段GE的長為")
- 問題詳情：如圖，點G是△ABC的重心，GE//BC，如果BC=12，那麼線段GE的長為 【回答】4知識點：正多邊形和圓題型：填空題...
- 31765
![一種閃爍晶體材料BGO（化學式為Bi4Ge3O12），其中鉍（Bi）元素為+3價，則鍺（Ge）元素為（ ）A...]( "一種閃爍晶體材料BGO（化學式為Bi4Ge3O12），其中鉍（Bi）元素為+3價，則鍺（Ge）元素為（ ）A...")
- 問題詳情：一種閃爍晶體材料BGO（化學式為Bi4Ge3O12），其中鉍（Bi）元素為+3價，則鍺（Ge）元素為（）A．+1價B．+2價C．+3價D．+4價【回答】【考點】有關元素化合價的計算．【分析】根據材料BGO的化學式為Bi4Ge3O12，利用Bi、O元素的化合價及化合物中正負化合價的代數和為0來解答．【解答】解：在材料BGO中，Bi...
- 6800
![碳族元素包括碳、矽、鍺（Ge）、錫（Sn）、鉛等，它們的單質及化合物廣泛應用於我們生活的各個領域。鍺和錫以前曾...]( "碳族元素包括碳、矽、鍺（Ge）、錫（Sn）、鉛等，它們的單質及化合物廣泛應用於我們生活的各個領域。鍺和錫以前曾...")
- 問題詳情：碳族元素包括碳、矽、鍺（Ge）、錫（Sn）、鉛等，它們的單質及化合物廣泛應用於我們生活的各個領域。鍺和錫以前曾被用於半導體材料，鉛被用來製造蓄電池。碳族元素在化合物中只有鉛以低價形式存在時較穩定，其它元素在化合物中都是以高價形式存在比較穩定，回答下列問題：I．（1）高嶺土...
- 18260
![鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：（1）基態Ge原子的核外電子排布式為[...]( "鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：（1）基態Ge原子的核外電子排布式為[...")
- 問題詳情：鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：（1）基態Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________，有______個未成對電子。（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叄鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叄鍵。從原子結構角度分析，原因是______________...
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![、（16分）在人類歷史長河中，制度創新推動了民族進步和社會發展。閱讀材料，回答問題。材料一 英特爾高階院士Ge...]( "、（16分）在人類歷史長河中，制度創新推動了民族進步和社會發展。閱讀材料，回答問題。材料一 英特爾高階院士Ge...")
- 問題詳情：、（16分）在人類歷史長河中，制度創新推動了民族進步和社會發展。閱讀材料，回答問題。材料一 英特爾高階院士GeneMeieran認為，創新有三種類型：突破*創新，其特徵是打破陳規，改變傳統和大步躍進；漸進式創新，特徵是採取下一邏輯步驟，讓事物越來越美好；再運用式創新，特徵是採用橫向...
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