![實驗室用H2還原SiHCl3(沸點：31.85℃)製備純矽的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說...]( "實驗室用H2還原SiHCl3(沸點：31.85℃)製備純矽的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說...")
- 問題詳情：實驗室用H2還原SiHCl3(沸點：31.85℃)製備純矽的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說法正確的是( )A.裝置Ⅱ、Ⅲ中依次盛裝的是濃H2SO4、*水B.實驗時，應先加熱管式爐，再開啟盛裝稀硫*的分液漏斗C.為鑑定製得的矽中是否含微量鐵單質，用到的試劑可以為...
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![三**矽(SiHCl3)是製備矽*、多晶矽的重要原料。回答下列問題：(1)SiHCl3在常溫常壓下為易揮發的無...]( "三**矽(SiHCl3)是製備矽*、多晶矽的重要原料。回答下列問題：(1)SiHCl3在常溫常壓下為易揮發的無...")
- 問題詳情：三**矽(SiHCl3)是製備矽*、多晶矽的重要原料。回答下列問題：(1)SiHCl3在常溫常壓下為易揮發的無*透明液體，遇潮氣時發煙生成(HSiO)2O等，寫出該反應的化學方程式_____________________________________________________。(2)SiHCl3在催化劑作用下發生反應：2SiHCl3(g)=...
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![製備矽半導體材料必須先得到高純矽。三**矽*(SiHCl3)還原法是當前製備高純矽的主要方法，生產過程示意圖如...]( "製備矽半導體材料必須先得到高純矽。三**矽*(SiHCl3)還原法是當前製備高純矽的主要方法，生產過程示意圖如...")
- 問題詳情：製備矽半導體材料必須先得到高純矽。三**矽*(SiHCl3)還原法是當前製備高純矽的主要方法，生產過程示意圖如下：（1）寫出由石英砂製取粗矽的化學方程式 ；由純SiHCl3製備高純矽的化學方程式________...
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![工業上可用粗矽(含鐵、鋁、硼、*等雜質)與乾燥的HCl氣體反應制得SiHCl3，：Si+3HCl=SiHCl3...]( "工業上可用粗矽(含鐵、鋁、硼、*等雜質)與乾燥的HCl氣體反應制得SiHCl3，：Si+3HCl=SiHCl3...")
- 問題詳情：工業上可用粗矽(含鐵、鋁、硼、*等雜質)與乾燥的HCl氣體反應制得SiHCl3，：Si+3HCl=SiHCl3+H2，SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應制得純矽。有關物質的物理常數見下表：物質SiCl4BCl3AlCl3FeCl3SiHCl3PCl5沸點/℃57.712.8—31533.0—熔點/℃-70.0-107.2——-126.5—升...
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![製造太陽能電池需要高純度的矽，工業上制高純矽常用以下反應實現①Si（固）+3HCl（氣）SiHCl3（氣）+H...]( "製造太陽能電池需要高純度的矽，工業上制高純矽常用以下反應實現①Si（固）+3HCl（氣）SiHCl3（氣）+H...")
- 問題詳情：製造太陽能電池需要高純度的矽，工業上制高純矽常用以下反應實現①Si（固）+3HCl（氣）SiHCl3（氣）+H2（氣） ②SiHCl3+H2Si+3HCl對上述兩個反應的敘述中，錯誤的是（）A．兩個反應都是置換反應B．據反應條件無法判斷反應是否吸熱C．兩個反應互為可逆反應D．兩個反應都是氧化還原反應【回答】【...
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