化学气相沉积造句怎么写

本发明描述使用定向反应物气流和相对于所述气流移动的基板的次大气压化学气相沉积。

用化学气相沉积法制备碲薄膜，其步骤为：通过电化学方法制得碲化*，碲化*在室温下分解后在聚乙烯塑料箔上沉积得到碲薄膜。

利用热丝化学气相沉积，在预沉积无定形碳的硅镜面基底及表面研磨预处理的铜基底上，实现了金刚石薄膜的沉积，并由此讨论了金刚石的成核机理。

由于氧化化学气相沉积技术是干燥的无溶剂过程，所以米纸在印刷后仍然完好无损。

等离子体化学气相沉积技术制备*化硅薄膜工艺条件成熟稳定而成为薄膜制备的首选方法。

提出了一种新颖的多孔硅表面钝化技术，即采用微波等离子体辅助的化学气相沉积（MPCVD）方法在多孔硅上沉积金刚石薄膜。

以镍片为基板材料，利用微波等离子体化学气相沉积法在低温条件下合成了纳米碳管膜。

利用微波等离子体化学气相沉积方法，以H 2、CH4和八*基环四硅氧*(D4)为原料，在硬质合金基体上沉积了金刚石涂层。

研究了在热*极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中，热*极辉光放电特*与金刚石膜沉积工艺的关系。

化学气相沉积（）法工艺能制备诸如碳化物、氮化物、硼化物、氧化物等CVD多种陶瓷，因而具有广阔的应用前景。

介绍了等离子体化学工艺，特别着重介绍了溅*镀膜与等离子体化学气相沉积在粉末冶金中的应用。

应用二维准平面电路模型对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）大面积平行板电极间电势差分布均匀*进行了数值研究。

除了传统的由TiO2作为成反*膜的工艺外,由等离子体化学气相沉积法(PECVD)制作的SiN是很有效的减反*膜,又是有效的表面钝化膜。

本系统中的数字量由PLC控制，数字量主要控制真空系统烧结炉和化学气相沉积炉中各通气管路中的开关量

为了满足制备较厚低摩擦系数类金刚石薄膜（DLC）耐磨镀层的实际需求，对在等离子增强化学气相沉积的类金刚石薄膜（W-DLC）中掺钨进行了系统研究。

为了增加奈米结构材料之应用範围，例如制作磁记忆媒体，本研究以触媒辅助电子迴旋共振化学气相沉积法(CR-CVD)用CH4及H2为反应气源，于矽基材上成功的合成镶埋有磁*颗粒的碳奈米材料。

所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法合成的.

二百为快速沉积高品质金刚石膜，建立了热*极等离子体化学气相沉积方法。

本文系统研究了石英钟罩式微波等离子体辅助化学气相沉积装置对沉积金刚石薄膜的影响。

量子化学方法在研究化学气相沉积反应体系的反应机理、动力学计算方面有很大的潜力。

本研究系以管状高温炉利用化学气相沉积制程来合成氧化锌奈米线及奈米柱。

涂层的化学气相沉积(CVD)和表面层改*的物理气相沉积(PVD)涂层的离子注入，所有三个正在受到考验，并部分使用。

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜。

用*气、**蒸汽为源气体，通过微波增强的化学气相沉积方法，实现了在金刚石表面气相外延生长单晶金刚石薄膜。

研究人员采用名为“氧化化学气相沉积”的新技术将太阳能电池印刷在可食用的米纸上，这种纸在餐厅被用来包裹春卷，其遇湿就会溶化。

以WF6和H2为原料，粉末冶金钨板为基体，采用热丝开管气流化学气相沉积试验装置，成功地制备出可变形钨锭。

此外，铂电极复合方法还有熔盐电镀，磁控溅*，化学气相沉积等，指出了各种方法的优缺点及发展方向。

本文评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜的进展情况

大电流热*极辉光放电用于等离子体化学气相沉积金刚石膜，有效地提高了沉积速率和膜品质。

课堂讲授和实验课重点介绍了基本制程技术，如扩散、氧化、光刻、化学气相沉积等。

直流热*极辉光放电等离子体化学气相沉积法是我们建立的快速沉积高品质金刚石膜的新方法。

以*苯为碳源，二茂铁为催化剂，噻吩为生长促进剂，通过化学气相沉积方法得到了多分叉结构的炭。

在较佳具体实施例中，该共沉积作用系以等离子体强化化学气相沉积法进行。

探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜。

利用化学气相沉积制备碳纳米管的过程中，在含氮的气体环境中，竹节型结构的碳纳米管在催化剂的作用下可制备出来。

为快速沉积高品质金刚石膜,建立了热*极等离子体化学气相沉积方法.

一种含有水凝胶-碳纳米管的味觉传感器的制备方法，在基板上，用真空溅*法或化学气相沉积法制成带有金焊盘的匙状金电极；

应用改进的化学气相沉积法，成功地合成出一种新的竹节状硅纳米管材料。