![實驗室用H2還原SiHCl3(沸點：31.85℃)製備純硅的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說...]( "實驗室用H2還原SiHCl3(沸點：31.85℃)製備純硅的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說...")
- 問題詳情：實驗室用H2還原SiHCl3(沸點：31.85℃)製備純硅的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說法正確的是( )A.裝置Ⅱ、Ⅲ中依次盛裝的是濃H2SO4、*水B.實驗時，應先加熱管式爐，再開啟盛裝稀硫*的分液漏斗C.爲鑑定製得的硅中是否含微量鐵單質，用到的試劑可以爲...
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![晶體硅是一種重要的非金屬材料，製備純硅的主要步驟如下：①高溫下用碳還原二氧化硅製得粗硅②粗硅與乾燥HCl氣體反...]( "晶體硅是一種重要的非金屬材料，製備純硅的主要步驟如下：①高溫下用碳還原二氧化硅製得粗硅②粗硅與乾燥HCl氣體反...")
- 問題詳情：晶體硅是一種重要的非金屬材料，製備純硅的主要步驟如下：①高溫下用碳還原二氧化硅製得粗硅②粗硅與乾燥HCl氣體反應制得SiHCl3：Si+3HClSiHCl3+H2③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應制得純硅已知SiHCl3能與H2O強烈反應，在空氣中易自燃。請回答下列問題：(1)第①步製備粗...
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![反應可用於純硅的製備。下列有關該反應的說法正確的是A．該反應、B．該反應的平衡常數C．高溫下反應每生成1mol...]( "反應可用於純硅的製備。下列有關該反應的說法正確的是A．該反應、B．該反應的平衡常數C．高溫下反應每生成1mol...")
- 問題詳情：反應可用於純硅的製備。下列有關該反應的說法正確的是A．該反應、B．該反應的平衡常數C．高溫下反應每生成1molSi需消耗D．用E表示鍵能，該反應【回答】B【詳解】A．SiCl4、H2、HCl爲氣體，且反應前氣體系數之和小於反應後氣體系數之和，因此該反應爲熵增，即△S>0，故A錯誤；B．根據化學...
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![工業上由粗硅製取純硅有以下反應： ...]( "工業上由粗硅製取純硅有以下反應： ...")
- 問題詳情：工業上由粗硅製取純硅有以下反應： ①Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g)；△H=-381kJ/mol ②SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g) ，對上述反應的說法中正確的是 A．...
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![光導纖維和太陽能電極板的主要成分分別是是A．純硅、純硅 B．SiO2、純硅 C．SiO2、SiO...]( "光導纖維和太陽能電極板的主要成分分別是是A．純硅、純硅 B．SiO2、純硅 C．SiO2、SiO...")
- 問題詳情：光導纖維和太陽能電極板的主要成分分別是是A．純硅、純硅 B．SiO2、純硅 C．SiO2、SiO2 D．純硅、SiO2【回答】B知識點：硅和硅*鹽工業單元測試題型：選擇題...
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![工業上製備純硅反應的熱化學方程式如下：SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)△H=+QkJ/...]( "工業上製備純硅反應的熱化學方程式如下：SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)△H=+QkJ/...")
- 問題詳情：工業上製備純硅反應的熱化學方程式如下：SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)△H=+QkJ/mol（Q>0），等溫、恆壓條件下，將一定量反應物通入密閉容器進行上述反應，下列敘述正確的是（ ）A.反應過程中，若充入與反應無關的氣體，由於保持壓強不變，則反應速率不變B.若反應開始時爲1mol，...
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![工業上製備純硅反應的熱化學方程式如下：SiCl4(g)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g);mol(Q＞...]( "工業上製備純硅反應的熱化學方程式如下：SiCl4(g)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g);mol(Q＞...")
- 問題詳情：工業上製備純硅反應的熱化學方程式如下：SiCl4(g)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g);mol(Q＞0)某溫度、壓強下，將一定量反應物通入密閉容器進行以上反應(此條件下爲可逆反應)，下列敘述正確的是A.反應過程中，若增大壓強能提高SiCl4的轉化率B.若反應開始時SiCl4爲1mol,則達平衡時，吸收...
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![石墨烯是“新材料之王”I．工業上製備純硅的一種流程如下SiO2Si（粗）SiHCl3Si（純）（1）步驟②經過...]( "石墨烯是“新材料之王”I．工業上製備純硅的一種流程如下SiO2Si（粗）SiHCl3Si（純）（1）步驟②經過...")
- 問題詳情：石墨烯是“新材料之王”I．工業上製備純硅的一種流程如下SiO2Si（粗）SiHCl3Si（純）（1）步驟②經過冷凝得到的SiHCl3中含有少量的SiCl4和HCl，採用蒸餾來提純SiHCl3，蒸餾屬於 （填“物理變化”或“化學變化”）（2）上述反應都是置換反應，流程中可循環使用的物質有 （填化學式）Ⅱ．石墨烯...
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![光導纖維的主要成分是A.純硅 B.普通玻璃 C.純SiO2 ...]( "光導纖維的主要成分是A.純硅 B.普通玻璃 C.純SiO2 ...")
- 問題詳情：光導纖維的主要成分是A.純硅 B.普通玻璃 C.純SiO2 D.沙子【回答】C知識點：硅鹽工業簡介題型：選擇題...
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![光導纖維的主要成分是：A.純硅 B.玻璃 C.純SiO2 D.沙子]( "光導纖維的主要成分是：A.純硅 B.玻璃 C.純SiO2 D.沙子")
- 問題詳情：光導纖維的主要成分是：A.純硅 B.玻璃 C.純SiO2 D.沙子【回答】【*】C【解析】試題分析：光導纖維的成分是二氧化硅，故選C。考點：二氧化硅的用途。知識點：非金屬元素的單質及其化合物題型：選擇題...
- 20880
![硅提純造句怎麼寫]( "硅提純造句怎麼寫")
- 他沒有擁有任何多晶硅提純技術，他所有的專利都是不可能實現的...
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![高純二氧化硅造句怎麼寫]( "高純二氧化硅造句怎麼寫")
- 1、研究了各種因素對高純二氧化硅中雜質含量的影響。2、這種芯料採用水溶***鹽爲粘結劑、氧化鎂爲固化劑、高純二氧化硅爲耐火骨料。...
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![製備硅半導體材料必須先得到高純硅。三**硅*(SiHCl3)還原法是當前製備高純硅的主要方法，生產過程示意圖如...]( "製備硅半導體材料必須先得到高純硅。三**硅*(SiHCl3)還原法是當前製備高純硅的主要方法，生產過程示意圖如...")
- 問題詳情：製備硅半導體材料必須先得到高純硅。三**硅*(SiHCl3)還原法是當前製備高純硅的主要方法，生產過程示意圖如下：（1）寫出由石英砂製取粗硅的化學方程式 ；由純SiHCl3製備高純硅的化學方程式________...
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![生產電腦芯片的材料主要是高純硅。工業生產高純硅的原理爲2C+SiO2Si+2X↑,則X的化學式是( )A.N...]( "生產電腦芯片的材料主要是高純硅。工業生產高純硅的原理爲2C+SiO2Si+2X↑,則X的化學式是( )A.N...")
- 問題詳情：生產電腦芯片的材料主要是高純硅。工業生產高純硅的原理爲2C+SiO2Si+2X↑,則X的化學式是()A.N2 2 D.O2【回答】【解析】選B。由題意知,反應前,有2個碳原子、1個硅原子、2個氧原子,反應後已有1個硅原子,這樣還缺少2個碳原子、2個氧...
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![晶體硅(熔點1410℃)是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純...]( "晶體硅(熔點1410℃)是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純...")
- 問題詳情：晶體硅(熔點1410℃)是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純)寫出SiCl4的電子式：______________；在上述由SiCl4制純硅的反應中，測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：___________________________。【回答】*SiCl4...
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![300℃ 950℃ 製造太陽能電池需要高純度的硅，工業上制高純硅常用以下反應實現①Si(s)＋3HCl(ｇ)=...]( "300℃ 950℃ 製造太陽能電池需要高純度的硅，工業上制高純硅常用以下反應實現①Si(s)＋3HCl(ｇ)=...")
- 問題詳情：300℃ 950℃ 製造太陽能電池需要高純度的硅，工業上制高純硅常用以下反應實現①Si(s)＋3HCl(ｇ)======SiHCl3(ｇ)＋H2(ｇ) ②SiHCl3＋H2======Si＋3HCl對上述兩個反應的下列敘述中，錯誤的是( )A．兩個反應都是置換反應 B．反應②不是置換反應...
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![高純硅可用於製備半導體硅材料。製備高純硅的主要生產流程如圖Z5－8所示。資訊：石英砂的主要成分是SiO2，反應...]( "高純硅可用於製備半導體硅材料。製備高純硅的主要生產流程如圖Z5－8所示。資訊：石英砂的主要成分是SiO2，反應...")
- 問題詳情：高純硅可用於製備半導體硅材料。製備高純硅的主要生產流程如圖Z5－8所示。資訊：石英砂的主要成分是SiO2，反應①的化學方程式爲SiO2＋2CSi＋2CO↑。圖Z5－8(1)石英砂屬於________(填“純淨物”或“混合物”)；SiCl4中硅元素的化合價爲________；寫出合理處理中間產物CO的一種方...
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![某礦石含碳*鎂和石英，製備高純硅和硅膠的工藝流程如下：（1）“硅膠”冶常用作]( "某礦石含碳*鎂和石英，製備高純硅和硅膠的工藝流程如下：（1）“硅膠”冶常用作")
- 問題詳情： 某礦石含碳*鎂和石英，製備高純硅和硅膠的工藝流程如下：（1）“硅膠”冶常用作_______________，也可以用作__________的載體。A的結構式爲________。（2）製備粗硅的方程式爲_______。（3）*作I爲_____________，*作Ⅱ爲_______________，*作Ⅲ所用儀器有鐵架臺(帶鐵圈)、酒精燈、_...
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![下列關於硅及二氧化硅的說法中正確的是（ ） A、高純度的硅可用於製造計算機芯片 B、S...]( "下列關於硅及二氧化硅的說法中正確的是（ ） A、高純度的硅可用於製造計算機芯片 B、S...")
- 問題詳情：下列關於硅及二氧化硅的說法中正確的是（ ） A、高純度的硅可用於製造計算機芯片 B、SiO2的物理*質與CO2類似 C、熔融燒鹼樣品使用的器皿是石英坩堝 D、光導纖維的主要成分是Si【回答】A知識點：硅鹽工業簡介題型：選擇題...
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![由粗硅制純硅過程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(硅)寫出SiCl4的電子式：]( "由粗硅制純硅過程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(硅)寫出SiCl4的電子式：")
- 問題詳情：由粗硅制純硅過程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(硅)寫出SiCl4的電子式：________；在上述由SiCl4制純硅的反應中，測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：________________________________________________________________________。【回答】*SiCl...
- 13765
![科學家發現對冶金硅進行電解精煉提純可降低高純硅製備成本。相關電解槽裝置如圖所示，用Cu-Si合金作硅源，在95...]( "科學家發現對冶金硅進行電解精煉提純可降低高純硅製備成本。相關電解槽裝置如圖所示，用Cu-Si合金作硅源，在95...")
- 問題詳情：科學家發現對冶金硅進行電解精煉提純可降低高純硅製備成本。相關電解槽裝置如圖所示，用Cu-Si合金作硅源，在950℃利用三層液熔鹽進行電解精煉，有關說法正確的是（ ）A．電子由液態Cu-Si合金流出，流入液態鋁電極 B.液態鋁電極與正極相連，作爲電解池的陽極C.在該液相熔體中Cu...
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- 問題詳情：製造太陽能電池需要高純度的硅，工業上制高純硅常用以下反應實現①Si（固）+3HCl（氣）SiHCl3（氣）+H2（氣） ②SiHCl3+H2Si+3HCl對上述兩個反應的敘述中，錯誤的是（）A．兩個反應都是置換反應B．據反應條件無法判斷反應是否吸熱C．兩個反應互爲可逆反應D．兩個反應都是氧化還原反應【回答】【...
- 20701
![多晶硅是單質硅的一種形態，是製造硅拋光片、太陽能電池及高純硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工業製取流程如圖所...]( "多晶硅是單質硅的一種形態，是製造硅拋光片、太陽能電池及高純硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工業製取流程如圖所...")
- 問題詳情：多晶硅是單質硅的一種形態，是製造硅拋光片、太陽能電池及高純硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工業製取流程如圖所示：下列說法錯誤的是A.Y、Z分別爲H2、Cl2B.製取粗硅的過程中焦炭與石英會發生副反應生成碳化硅，在該副反應中，氧化劑與還原劑的物質的量之比爲1：1C.S...
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![高純度的硅是資訊產業的核心材料，沒有硅就沒有你喜歡的計算機，工業上粗硅提純生產流程如下： (1)石英砂的主...]( "高純度的硅是資訊產業的核心材料，沒有硅就沒有你喜歡的計算機，工業上粗硅提純生產流程如下： (1)石英砂的主...")
- 問題詳情：高純度的硅是資訊產業的核心材料，沒有硅就沒有你喜歡的計算機，工業上粗硅提純生產流程如下： (1)石英砂的主要成分是SiO2，工業上製取粗硅的化學方程式爲：SiO2+2CSi+2R，R的化學式爲____________； (2)整個製備過程必須達無水無氧，在H2還原SiHCl3過程若混入O2，可能...
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![高純度的單晶硅是製做電子集成電路的基礎材料。工業上製備高純硅的化學反應原理爲：①SiO2+2CSi+2CO②S...]( "高純度的單晶硅是製做電子集成電路的基礎材料。工業上製備高純硅的化學反應原理爲：①SiO2+2CSi+2CO②S...")
- 問題詳情：高純度的單晶硅是製做電子集成電路的基礎材料。工業上製備高純硅的化學反應原理爲：①SiO2+2CSi+2CO②Si+3HClHSiCl3+H2③HSiCl3+H2Si+3X反應①製得粗硅，透過反應②③進一步得到高純硅；三*硅*（HSiCl3）的沸點是31.8℃．下列有關說法不正確的是（）A．反應③中X的化學式爲HCl B．...
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